陶瓷电路板表面聚四氟乙烯薄膜制备工艺研究

PTFE

陶瓷电路板表面聚四氟乙烯薄膜制备工艺研究
TECHNICAL STUDY OF PREPARE TTFE FILM ON THE SURFACE OF CERAMIC CIRCUIT BOARD
作　　者：张剑锋 郭云 秦晓刚 高原

ZHANG Jian-feng　 GUO Yun　 QIN Xiao-gang　 GAO Yuan

机构地区：兰州物理研究所,真空低温技术与物理国家级重点实验室,甘肃,兰州,730000 兰州物理研究所,真空低温技术与物理国家级重点实验室,甘肃,兰州,730000 兰州物理研究所,真空低温技术与物理国家级重点实验室,甘肃,兰州,730000 兰州物理研究所,真空低温技术与物理国家级重点实验室,甘肃,兰州,730000

出　　处：《真空与低温》 2007年第4期 195-197页,233页,共4页

Vacuum and Cryogenics

基　　金：真空低温技术与物理国家级重点实验室基金(9140C550201060C55)资助.

摘　　要：采用硅偶联剂对TR组件(陶瓷电路板)表面进行改性处理,使得陶瓷电路板中的金属材料与聚四氟乙烯极性相近,通过射频磁控溅射在TR组件表面制备出聚四氟乙烯薄膜.XPS,SEM测试表明薄膜主要组成为聚四氟乙烯组分,薄膜形貌均一、致密.

关 键 词：陶瓷电路板 四氟乙烯薄膜 磁控溅射镀膜机 偶联剂 亲水性 疏水性
分 类 号： O484.1 [数理科学和化学 > 物理学 > 固体物理学 > 薄膜物理学]

参考文献作者在撰写文献时引用的其他文献，反映本文的背景或依据。 (11篇)[1][1]KISHEK R A,LAU Y Y,ANG L K,etc.Gilgenbach.Multipactor discharge on metals and dielectrics:Historical review and recent theories[J].Phys Plasmas,1998,5(5):2120～2130.
[2][2]KISHEK R A,LAU Y Y,CHERNIN D.Steady state multipactor and dependence on material properties[J].Phys Plasmas,1997,4 (3):863～870.
[3]张世全,殷世民,葛德彪.星载微波器件无源互调和电子二次倍增放电的产生与抑制[J].电磁干扰抑制技术,2003,1:12-15.
[4][4]VEERAMASUNENI S,DRELICH J,MILLER J.D.Hydrophobicity of Ion-plated PTFE Coatings[J].Prog Org Coat,1997,31:265～269.
[5][5]JEFFREY P Y,THOMAS J M.Ultrahydrophobic Polymer Surfaces Prepared by Simultaneous Ablation of Polypropylene and Sputtering of Poly(tetrafluoroethylene) Using Radio Frequency Plasma[J].Macromolecules,1999,32(20):6800～6810.
[6][6]BODAS S D,MANDALE A B S A,GANGAL.Deposition of PTFE thin films by RF plasma sputtering on(100) silicon substrates[J].Applied Surface Science,2005,245(1-4):202～206.
[7]朱开贵 石建中.聚四氟乙烯薄膜的制备及其红外光谱研究[J].物理学报,:.
[8]杨军 刘艳.聚四氟乙烯涂层的研究[J].纸和造纸,2004,11(6):49-52.
[9]祁俊路 李合琴.射频磁控反应溅射制备Al2O3薄膜的工艺研究[J].真空与低温,2006,12(2):75-78.
[10]吴春华,邱家稳.直流磁控溅射沉积锰酸锶镧薄膜的结构与相变特性研究[J].真空与低温,2006,12(3):162-165.
[11]赵之明 李合琴 顾金宝 等.射频磁控溅射制备类金刚石薄膜的特性[J].真空与低温,2006,12(4):215-218.