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PVDF压电薄膜传感器的研制

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发表于 2013-7-23 08:00:51 | 显示全部楼层 |阅读模式
PVDF压电薄膜传感器的研制
Development of PVDF piezoelectric film sensors
 
【作者】 赵东升; 

【Author】 ZHAO Dong-sheng(Changzhou Institute of Light Industry Technology,Changzhou 213164,China)

【机构】 常州轻工职业技术学院 江苏常州213164; 

【摘要】 采用28μm厚的4层聚偏二氟乙烯(PVDF)压电薄膜研制了PVDF压电传感器,该传感器表面电极形状应用剪切加丙酮腐蚀的方法制成,保证了传感器有一定的非金属化的边缘。对于电极的引出是将传感器上、下电极面引脚错开,引出电极采用比较容易做到的穿透式,并用压接端子压接和空心小铆钉铆接的2种方法。 更多还原

【Abstract】 The sensors are developed with four-layered PVDF piezoelectric film of 28 μm thick.The form of the electrode is made through cutting and acetone eroding to ensure a non-metallization edge for the sensor.The top and bottom tabs are off-set with respect to each other,penetrative techniques are used.Rivets or eyelets and crimp connectors can be affixed to the off-set conductive traces on the piezoelectric film. 更多还原

【关键词】 聚偏二氟乙烯压电薄膜; 传感器; 制作; 
【Key words】 PVDF piezoelectric film; sensor; manufacture; 
【文献出处】 传感器与微系统 ,Transducer and Microsystem Technologies , 编辑部邮箱 ,2007年03期 

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